Un team di scienziati dell’Istituto di Scienze Industriali dell’Università di Tokyo ha realizzato innovativi transistor a base di ossido di indio drogato con gallio (InGaOx), presentati durante il Simposio sulla Tecnologia e i Circuiti VLSI 2025. Guidato da Anlan Chen, il gruppo ha sviluppato una struttura “gate-all-around”, in cui il gate circonda completamente il canale di conduzione, migliorando l’efficienza e la scalabilità rispetto ai modelli tradizionali.
Il nuovo materiale, l’InGaOx, sostituisce il silicio grazie alla sua struttura cristallina e alla maggiore stabilità ottenuta introducendo impurità di gallio. Questo processo riduce i difetti dovuti alle lacune di ossigeno, migliorando l’affidabilità dei dispositivi.
Attraverso la deposizione a strati atomici, il team ha costruito un transistor a effetto di campo (MOSFET) funzionante in modo stabile per ore sotto stress. Questa tecnologia apre la strada a componenti elettronici ad alta densità, ideali per l’intelligenza artificiale e l’elaborazione di big data. I minuscoli transistor potrebbero diventare il motore invisibile della tecnologia di prossima generazione.