Un dispositivo elettronico basato su una eterostruttura è stato realizzato per la volta nell’ambito di una Ricerca internazionale che vede protagonista anche l’Università di Pisa. Il minuscolo transistor, spiega una nota dell’Ateneo, e’ “il frutto di una collaborazione internazionale tra Universita’ di Pisa, Cnr, Istituto catalano delle nanoscienze e delle nanotecnologie e Universita’ di Tokyo“. La realizzazione è stata resa possibile con una tecnologia sviluppata dall’Ateneo giapponese, in grado di modificare le proprietà elettriche del Bisolfuro di Molibdeno. Le simulazioni a livello atomistico effettuate dall’Università di Pisa e dal Cnr pisano oltre a fornire spiegazioni hanno permesso di prevedere il comportamento elettrico del dispositivo fabbricato.
“La tecnologia sviluppata, sia dal punto di vista della fabbricazione, che di quello della simulazione – sottolinea Fiori – mette le basi per il raggiungimento di nuovi traguardi nel campo dell’elettronica bidimensionale, considerata sia in ambito scientifico che industriale come una tecnologia promettente per ottenere transistor flessibili e a basso consumo“.
