Il 16 ottobre i cosmonauti russi a bordo della Stazione Spaziale Internazionale (ISS) effettueranno una “passeggiata spaziale” (attività extra-veicolare, EVA), durante la quale installeranno, all’esterno della Stazione, il dispositivo scientifico “Ekran-M”. L’apparecchiatura, arrivata a bordo del cargo russo Progress MS-32, servirà per un esperimento pionieristico dedicato alla crescita di cristalli semiconduttori nello Spazio. Il progetto, sviluppato dall’Istituto di Fisica dei Semiconduttori A. V. Rzhanov, utilizza il metodo dell’epitassia a fascio molecolare (MBE). In questo processo, gli atomi di gallio e arsenico vengono vaporizzati e depositati con estrema precisione su una superficie liscia, formando strati atomici perfetti. Le condizioni di vuoto estremo e microgravità offerte dal cosmo permettono di ottenere materiali di qualità superiore rispetto a quelli prodotti sulla Terra.
Tali cristalli, come l’arseniuro di gallio, sono fondamentali per la realizzazione di dispositivi elettronici avanzati: laser, celle solari e LED. In prospettiva, questi esperimenti aprono la strada a “fabbriche orbitali” capaci di produrre materiali ad altissima purezza direttamente nello spazio.
Durante la missione, i cosmonauti utilizzeranno le nuove tute “Orlan-MKS”, recentemente aggiornate e consegnate con la stessa Progress MS-32.
Vuoi ricevere le notifiche sulle nostre notizie più importanti?