Esplorare la luna ghiacciata di Giove, Europa, potrebbe essere possibile grazie alla tecnologia dei transistor silicio–germanio (SiGe): l’ipotesi è stata formulata dagli scienziati della Georgia Tech e della School of Electrical and Computer Engineering (ECE), ed è stata presentata durante la conferenza Nuclear and Space Radiation Effects dell’Institute of Electrical and Electronics Engineers.
Europa è un satellite che desta particolare interesse: sotto uno strato di ghiaccio spesso 10 km si trova un oceano di acqua liquida che potrebbe sostenere la vita. La superficie, però, raggiunge i -180°C ed è caratterizzata da livelli elevati di radiazioni, che ne rendono complicata l’esplorazione.
Un gruppo di ricercatori, guidato da John D. Cressler, sostiene che dei transistor bipolari a eterogiunzione silicio-germanio possano superare gli ostacoli. “Questi dispositivi possono resistere a condizioni estreme grazie al modo in cui sono stati realizzati, senza necessitare modifiche alla tecnologia di base,” ha spiegato Cressler.
Gli scienziati hanno utilizzato Dynamitron, un macchinario del Jet Propulsion Laboratory che spara elettroni ad alto flusso a temperature molto basse, per testare le capacità dei SiGe. I transistor sono stati esposti a correnti di un milione di Volt e temperature di -160°C.
“Nei prossimi due anni cercheremo di sviluppare circuiti SiGe che possano essere utilizzati sul satellite di Giove. L’aspetto interessante di questa ricerca è che questi dispositivi potrebbero essere poi impiegati nella maggior parte degli ambienti spaziali. Speriamo che il nostro lavoro possa aprire nuovi orizzonti innovativi e consentire nuove applicazioni,” ha concluso Cressler.
La NASA prevede di lanciare nel 2024 Europa Clipper, un veicolo spaziale orbitante che mapperà gli oceani di Europa e rilascerà un lander per esplorare la massa d’acqua.
